香港計算器

電容器組合計算器

輸入最多3個電容值與連接模式,計算等效電容。串聯 1μF+1μF → 0.5μF;並聯 1μF+2μF+3μF → 6μF。

輸入資料

電容 C1(F)。陶瓷電容 1pF~1μF;電解電容 1μF~1F;超級電容 1F~100F。
F
電容 C2(F)。輸入 0 表示不使用此電容。
F
電容 C3(F)。輸入 0 表示不使用此電容(最多3個)。
F
串聯 1/C=Σ1/Cᵢ(等效電容變小);並聯 C=ΣCᵢ(等效電容變大)。

計算結果

0.0000005F
0.5μF
2

重點速覽:電容器組合(Capacitor combination):多個電容器以串聯或並聯方式連接後的等效電容。串聯:電容器首尾相連,等效電容倒數為各電容倒數之和 1/C_eq=Σ(1/Cᵢ),等效電容小於任一單個電容(電壓分配、耐壓提升);並聯:電容器同電壓並列連接,等效電容為各電容之和 C_eq=ΣCᵢ,等效電容大於任一單個電容(電荷儲存增加)。歷史:伏打 1800 年發明電池;萊頓瓶 1745 年為最早電容;法拉第 1837 年研究電介質。經典例:兩個 1μF 串聯 → 0.5μF;兩個 1μF 並聯 → 2μF。應用:(1) 電源濾波——並聯大電容儲能;(2) 諧振電路——串聯/並聯調諧;(3) 分壓電路——串聯電容分壓;(4) 能量存儲——超級電容並聯;(5) 功率因數校正——並聯電容補償。

計算公式

串聯等效電容:1/C_eq = 1/C1 + 1/C2 + 1/C3 → C_eq = 1/(Σ1/Cᵢ)

並聯等效電容:C_eq = C1 + C2 + C3

兩電容串聯:C_eq = C1·C2 / (C1+C2)

串聯電壓分配:V1 = V·C_eq/C1, V2 = V·C_eq/C2

並聯電荷分配:Q1 = C1·V, Q2 = C2·V(同電壓)

$$\frac{1}{C_{\text{eq(series)}}} = \sum_{i=1}^{n} \frac{1}{C_i}, \quad C_{\text{eq(parallel)}} = \sum_{i=1}^{n} C_i$$

使用說明

  1. 輸入電容 C1、C2、C3(F),C3=0 表示僅用2個電容。
  2. 選擇連接模式(串聯/並聯)。
  3. 系統計算等效電容 C_eq(F、μF)。串聯 1μF+1μF → 0.5μF;並聯 1μF+2μF+3μF → 6μF。

常見電容器組合範例

常見電容器組合範例
C1 (μF)C2 (μF)C3 (μF)串聯 C_eq (μF)並聯 C_eq (μF)
1100.52
10100520
1230.5456
10010010033.3300
0.10.0100.009090.11
47010000319.71470
1110.3333

串聯 1/C=Σ1/Cᵢ,並聯 C=ΣCᵢ。串聯等效電容小於最小單個電容;並聯等效電容大於最大單個電容。兩等值電容串聯減半、並聯加倍。

理財情境案例

電源濾波電容設計

開關電源 5V 輸出濾波:並聯 470μF 電解(低頻濾波)+ 0.1μF 陶瓷(高頻濾波)→ C_eq=470.1μF。

電解電容 ESR 較大(0.1Ω),高頻時阻抗 Z=1/(2πfC)=1/(2π×1MHz×470μF)=0.34Ω,高頻濾波效果差。

並聯 0.1μF 陶瓷電容 ESR 較小(0.01Ω),高頻阻抗 1/(2π×1MHz×0.1μF)=1.6Ω,改善高頻濾波。組合兼顧全頻段。

高壓分壓電路

10 kV 高壓測量:串聯 3 個 1 nF/4 kV 電容 → C_eq=0.333 nF,耐壓 12 kV(每個分擔 3.33 kV)。

串聯電容分壓 V1=V×C_eq/C1=10000×0.333/1=3333 V,每個電容承受 1/3 電壓。

實際設計需考慮電容容差(±5%)導致電壓不均,並聯均壓電阻(10 MΩ)確保各電容分壓均勻。

常見問題

串聯和並聯電容有何區別?

串聯 1/C=Σ1/Cᵢ,等效電容小於最小單個電容,耐壓提升(電壓分配到各電容);並聯 C=ΣCᵢ,等效電容大於最大單個電容,耐壓不變(同電壓)。串聯用於高壓分壓、減小電容;並聯用於增加電容、電源濾波。兩等值電容串聯減半、並聯加倍。

為什麼串聯電容的等效電容變小?

串聯時各電容極板間距等效增大。1/C=Σ(1/Cᵢ),倒數相加使總倒數增大,故 C_eq 減小。物理上:串聯電容電荷相同 Q=CᵢVᵢ,總電壓 V=ΣVᵢ=Q·Σ(1/Cᵢ),等效 C_eq=Q/V=1/(Σ1/Cᵢ)。例如兩 1μF 串聯 → 0.5μF(極板等效距離加倍)。

如何選擇濾波電容組合?

電源濾波常用並聯組合:(1) 大電容(470~1000μF 電解)濾低頻紋波;(2) 中電容(1~10μF 陶瓷)濾中頻;(3) 小電容(0.1μF 陶瓷)濾高頻。並聯組合 C_eq=ΣCᵢ 在各頻段提供低阻抗路徑。開關電源 100kHz~10MHz 需多級濾波。注意電容 ESR 和 ESL 影響高頻性能。

串聯電容如何分壓?

串聯電容電荷相同 Q=C_eq×V,各電容電壓 Vᵢ=Q/Cᵢ=C_eq×V/Cᵢ。電容越小分壓越大(反比分配)。例如 C1=1μF、C2=2μF 串聯接 12V → V1=12×(2/3)/1=8V,V2=12×(2/3)/2=4V。實際應用需並聯均壓電阻補償容差。

超級電容如何組合使用?

超級電容(1~3000F)額定電壓低(2.7V),需串聯提升耐壓。4 個 100F/2.7V 串聯 → C_eq=25F/10.8V。但單體差異導致過壓,需均壓電路(主動或被動平衡)。並聯可增加容量但電壓不變。電動車剎車回饋常用超級電容組吸收瞬時大功率。

相關工具

參考資料

內容審核:香港計算器科學團隊。串聯 1/C=Σ1/Cᵢ(等效電容變小、耐壓提升),並聯 C=ΣCᵢ(等效電容變大、耐壓不變)。1μF+1μF 串聯→0.5μF、並聯→2μF。電源濾波常用並聯大+小電容組合。高壓分壓用串聯。